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重庆陶瓷电容耐压不良失效分析
重庆陶瓷电容耐压不良失效分析
（1）通过对NG样品、OK样品进行了外观光学检查、金相切片分析、SEM/EDS分析及模拟试验后，多层片式陶瓷电容器分类，发现NG样品均存在明显的陶瓷-环氧界面脱壳，产生了气隙，此气隙的存在会严重影响电容的耐压水平。 从测试结果，可以明显看到在陶瓷-环氧分离界面的裂缝位置存在明显的碳化痕迹，且碳化严重区域基本集中在边缘封装较薄区域，而OK样品未见明显陶瓷-环氧界面脱壳分离现象。
（2）NG样品与OK样品结构成分一致，未见结构明显异常。失效的样品是将未封样品经焊接组装灌胶，高温固化后组成单元模块进行使用的。取样品外封环氧树脂进行玻璃转化温度测试，发现未封样品的外封环氧树脂玻璃转化温度较低，怀疑因为灌胶的高温超过了陶瓷电容的环氧树脂封体的玻璃转化温度，达到了其粘流态，导致陶瓷基体和环氧界面脱粘产生气隙。随着环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结，此时的形变就很难恢复。然后在外部电场力（耐压加电测试）的作用下，在间隙路径上产生了弱点击穿。
企业视频展播，请点击播放视频作者：四川华瓷科技有限公司电子工业领域电子工业是先进陶瓷产业终端应用市场。电子陶瓷是指在电子设备中作为安装、固定、支撑、保护、绝缘、隔离及连接各种无线电元器件的陶瓷材料。目前电子陶瓷材料元器件主要包括：光纤陶瓷插芯、陶瓷封装基座、陶瓷基片、陶瓷基体、接线端子、片式多层陶瓷电容器等，主要材质有氧化物、氮化物、碳化物以及硼化物等。现代科学技术的高速发展对电子陶瓷材料提出了更加严峻的挑战，也为这一领域的研究和发展创造了新的机会。
重庆半导体陶瓷电容器
（1）对BaTiO3来讲，晶界层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面，片式陶瓷电容器的用途，涂覆恰当的金属氧化物，在恰当的温度下热处理，氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散，在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一薄的固溶体绝缘层具有很高的电阻率，尽管陶瓷粒子内部还是以半导体为主，但是整个陶瓷体在显介电常数上表现出2×104~8×104的高质量绝缘介质。
（2）重庆表面陶瓷电容，电容器的微型化，即电容器以小的体型得到尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对分离电容器组件来讲，片式陶瓷电容器，微型化的基本途径有两条：①尽量提高介质材料的介电常数；②使介质层厚度尽量减小。对于陶瓷材料，铁电陶瓷具有非常高的介电常数，多层片式陶瓷电容器应用，但是，要想用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时，陶瓷介质很难实现。是由于铁电陶瓷强度低，在薄板上易碎裂，难以实际生产操作；第二，陶瓷介质很薄，易产生各种组织缺陷，生产工艺困难。
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