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高温MOSFET场效应管的主要参数之直流参数：饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，1200V高温MOSFET，而漏源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
35. 陕西妙奇微电子科技有限公司作为比利时高温半导体行业的代理商，高温MOSFET，在国内推广其碳化硅类型的高温MOSFET场效应管，常年备有大量现货，该产品耐压高达1200V，电流可选10A，20A，30A，有和模块化产品，目前在国内随钻产品上应用良好，深受喜爱。其可稳定长期可靠的工作于225度的高温下，且抗震，抗振。欢迎有需求的客户与我们联系。
Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，高温MOSFET大电流，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。陕西妙奇微电子科技有限公司代理高温MOSFET（场效应管），可以为您提供全套的MOSFET选择推荐。
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