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晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，175度MOSFET现货，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
选择一款正确的高温MOSFET场效应管，第四步是确定热要求，100V进口高温MOSFET，在确定电流之后，200度MOSFET现货，就要计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况：***坏情况和真实情况。建议采用针对***坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据，比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及***的结温。预知更多详情，欢迎联系陕西妙奇微电子科技有限公司。
高温MOSFET场效应管晶体管的主要参数有六个：（1）放大系数：指在静态无变化信号输入时，MOSFET，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。（2）交流放大倍数：在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。（3）耗散功率:指晶体管参数变化不超过规定允许值时的***集电极耗散功率。（4）频率fm：***振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。（5）电流：集电极***电流（ICM）是指晶体管集电极所允许通过的***电流。（6）反向电压：***反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的***工作电压。
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