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重庆NPO多层陶瓷电容是什么？
NPO对应的陶瓷 温度特性 （TC.特性）为：
-55℃---+125℃ 摄氏度间，温度每变化一度， 变化的频率只有 0+-30ppm/℃
也就相当于没有变化，是主要用在电路RF部分的电容器。
其他常用材质有X5R，X7R，Y5V。
上面介绍的主要是MLCC。Multi-layer ceramic capacitors 翻译过来就是片式多层陶瓷电容器。
主要是因为其制作工艺为陶瓷叠层实现电荷的储存。
原料就是瓷粉，研磨后成浆料，陶瓷电容器一般在哪里，流延成博的膜片，在上面印刷镍电极。叠层，结构就出来了，后面的工序都是瓷体成行和端头处理的工序。一般现在的工艺是 铜镍锡 三层。
配料—流延—印刷—叠层—层压—切割—排胶—烧结—烧结—倒角—封端—烧端—端处—测试— 编带—包装
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（1）对BaTiO3来讲，晶界层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面，涂覆恰当的金属氧化物，在恰当的温度下热处理，氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相，陶瓷电容器的介质材料种类，沿开口气孔和晶界迅速扩散，在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一薄的固溶体绝缘层具有很高的电阻率，尽管陶瓷粒子内部还是以半导体为主，但是整个陶瓷体在显介电常数上表现出2×104~8×104的高质量绝缘介质。
（2）重庆表面陶瓷电容，电容器的微型化，即电容器以小的体型得到尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对分离电容器组件来讲，陶瓷电容器批发价格，微型化的基本途径有两条：①尽量提高介质材料的介电常数；②使介质层厚度尽量减小。对于陶瓷材料，铁电陶瓷具有非常高的介电常数，陶瓷电容器，但是，要想用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时，陶瓷介质很难实现。是由于铁电陶瓷强度低，在薄板上易碎裂，难以实际生产操作；第二，陶瓷介质很薄，易产生各种组织缺陷，生产工艺困难。
温度补偿型
温度变化所造成的静电容量变化率较小，主要用于滤波、高频电路的耦合。当线圈与电容器被结合使用时，线圈的电感会随着温度的上升而增加，这时则可以利用负温度系数电容器来进行修正。
高诱电型
是一种采用了介电常数较高材料的电容器，具有静电容量较高的特点。主要作为电源电路的去耦电容器或平滑电路使用。与温度补偿型电容器相比，由于温度能够造成的静电容量变化较大，因此当用于滤波器等信号电路中时需要十分注意。
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