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同方迪一高压陶瓷电容器制作的关键五点
（1）原料要精选
影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。
（2）熔块的制备
熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。
（3）成型工艺
成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。
（4）烧成工艺
应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。
（5）包封
包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。
高压瓷片电容烧坏的原因介绍
一:潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高， 会使高压瓷片电容的表面绝缘电阻下降， 对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。
二:银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致高压瓷片电容损坏或击穿。
三:有的高压瓷片电容，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，武汉瓷片电容30KV，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至炸掉。
四:从单颗瓷片电容分析，超高压瓷片电容30KV，电容碰到了强大的电流，导致内部材料发热，散热不及时，造成热击穿损坏。
选购瓷片电容的技巧
如何选购瓷片电容呢，教大家一些方法，希望可以帮助到你。
在购买瓷片电容时要先考虑的是耐压问题而不是容量，如果一个瓷片电容的两端的电压超过了它的额定电压，产品就会被击穿损坏，导致失效，甚至连累更多的元器件，所以考虑耐压问题非常重要。
瓷片电容的电压分档为300V，400V，500V，1KV，2KV等，超高压瓷片电容30KV，瓷片电容的耐压分档为1800V，4000V等，在耐压问题解决之后在选择产品的容量，超高压瓷片电容30KV，瓷片电容容量单位一般用微法(uf)表示如1uF=1微法，大多数电容的大小为0.1至0.01μF左右。1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)，在选购时一定要有足够的容量来进行使用。
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