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高温MOSFET场效应管的主要参数之直流参数:饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,1200V高温MOSFET,而漏源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。
35. 陕西妙奇微电子科技有限公司作为比利时高温半导体行业的代理商,高温MOSFET,在国内推广其碳化硅类型的高温MOSFET场效应管,常年备有大量现货,该产品耐压高达1200V,电流可选10A,20A,30A,有和模块化产品,目前在国内随钻产品上应用良好,深受喜爱。其可稳定长期可靠的工作于225度的高温下,且抗震,抗振。欢迎有需求的客户与我们联系。
Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,高温MOSFET大电流,工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。陕西妙奇微电子科技有限公司代理高温MOSFET(场效应管),可以为您提供全套的MOSFET选择推荐。
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