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重庆NPO多层陶瓷电容是什么?
NPO对应的陶瓷 温度特性 (TC.特性)为:
-55℃---+125℃ 摄氏度间,温度每变化一度, 变化的频率只有 0+-30ppm/℃
也就相当于没有变化,是主要用在电路RF部分的电容器。
其他常用材质有X5R,X7R,Y5V。
上面介绍的主要是MLCC。Multi-layer ceramic capacitors 翻译过来就是片式多层陶瓷电容器。
主要是因为其制作工艺为陶瓷叠层实现电荷的储存。
原料就是瓷粉,研磨后成浆料,陶瓷电容器一般在哪里,流延成博的膜片,在上面印刷镍电极。叠层,结构就出来了,后面的工序都是瓷体成行和端头处理的工序。一般现在的工艺是 铜镍锡 三层。
配料—流延—印刷—叠层—层压—切割—排胶—烧结—烧结—倒角—封端—烧端—端处—测试— 编带—包装
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(1)对BaTiO3来讲,晶界层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面,涂覆恰当的金属氧化物,在恰当的温度下热处理,氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相,陶瓷电容器的介质材料种类,沿开口气孔和晶界迅速扩散,在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一薄的固溶体绝缘层具有很高的电阻率,尽管陶瓷粒子内部还是以半导体为主,但是整个陶瓷体在显介电常数上表现出2×104~8×104的高质量绝缘介质。
(2)重庆表面陶瓷电容,电容器的微型化,即电容器以小的体型得到尽可能大的容量,是电容器发展的趋势之一。对分离电容器组件来讲,陶瓷电容器批发价格,微型化的基本途径有两条:①尽量提高介质材料的介电常数;②使介质层厚度尽量减小。对于陶瓷材料,铁电陶瓷具有非常高的介电常数,陶瓷电容器,但是,要想用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时,陶瓷介质很难实现。是由于铁电陶瓷强度低,在薄板上易碎裂,难以实际生产操作;第二,陶瓷介质很薄,易产生各种组织缺陷,生产工艺困难。
温度补偿型
温度变化所造成的静电容量变化率较小,主要用于滤波、高频电路的耦合。当线圈与电容器被结合使用时,线圈的电感会随着温度的上升而增加,这时则可以利用负温度系数电容器来进行修正。
高诱电型
是一种采用了介电常数较高材料的电容器,具有静电容量较高的特点。主要作为电源电路的去耦电容器或平滑电路使用。与温度补偿型电容器相比,由于温度能够造成的静电容量变化较大,因此当用于滤波器等信号电路中时需要十分注意。
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