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失效模式分析片式陶瓷电容器
失效模式分析
（1）在电场作用下，陶瓷电容器的击穿 破坏遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点破坏的根源。除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节。环氧包封陶瓷电容器由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结。在电场作用下，片式陶瓷电容器，组成高压陶瓷电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变。当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平。
（2）介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低。
企业视频展播，请点击播放视频作者：四川华瓷科技有限公司电容上的电流电压。重庆贴片电容器片式陶瓷电容器电容上的电流电压
tanδ?Q：在理想化状况下，电容器不容易在电路板上耗费內部动能，而实际上，电容器的电极化损耗，片式陶瓷电容器批发，电极，多层片式陶瓷电容器，输电线，电极的感性负载成份(ESR：等额的串联电阻)都是会造成动能损耗。重庆贴片电容器它是由根据该电容的电流量相位来表明的。
加到电容上的电流电压相距在理想化情况是90℃，重庆贴片电容器但因为以上损耗落后于90℃。用三角函数tan(正数)来表明滞后的角(损耗角)，称为tanδ或物质损耗角正切值。重庆贴片电容器tanδ的称之为Q(品质指数)，用于表明高频域电容的特性。
重庆陶瓷材料在航空航天领域的应用主要有
1、重庆陶瓷基复合材料用于航天器外壳。碳纤维或碳化硅等陶瓷纤维增强陶瓷基复合材料已成为制造航天器外壳和火箭喷嘴等不可或缺的材料。
2、HfB2、ZrB2、ZrC等用于超高温陶瓷涂层。随着超高声速的发展，对其表面抗烧蚀和抗大气冲刷的要求也越来越好，HfB2、ZrB2、ZrC等超高温陶瓷作为高温涂层材料对提升表面的抗烧蚀和抗冲刷能力有着的作用。
3、氮化物复合材料用于高温透波材料。氮化硅、氮化硼等氮化物陶瓷具有耐高温、介电常数和介电损耗低、抗蠕变和等优异性能，可用作新一代透波材料；六方氮化硼陶瓷的导热性好、微波穿透能力强，可用作雷达窗口材料；同时其密度较小，可用作的高温结构材料。
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